PUMA
Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo     
Piacentini G. La Tecnica del "PL Mapping" per la Caratterizzazione di Materiali Semiconduttori.
 
 
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Abstract
(Italiano)
La fotoluminescenza (in breve PL) e` una tecnica di analisi ottica non distruttiva, da molti anni largamente impiegata per la caratterizzazione di materiali semiconduttori; generalmente, le misure PL effettuate a basse temperature (2-4 K), permettono di ottenere spettri con picchi stretti e ben definiti, dall'analisi dei quali e` possibile ottenere informazioni sulla struttura a bande del materiale, oltre che su impurezze e difetti eventualmente presenti. Piu` di recente si e` sviluppata un'altra tecnica di analisi ottica basata sulla fotoluminescenza, detta PL mapping; tale tecnica consiste nell'acquisizione dello spettro di luminescenza punto a punto entro una porzione di interesse del campione, e nella rappresentazione, su una mappa bidimensionale, di una particolare proprieta` di tale spettro, quale, ad esempio, la posizione in energia o l'intensita` integrale di un dato picco di emissione.
Subject CdZnTe
radiation detectors


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