PUMA
Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo     
Attolini G., Bosi M., Calicchio M., Regonini D., Watts B. E. Reattore Epitassiale per Carburo di Silicio. Completamento. Manuale d'uso. Rapporto interno n. 110. Technical report, 2005.
 
 
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Abstract
(Italiano)
Facendo riferimento ai precedenti rapporti interni [1, 2, 3] si vuole dare una descrizione del completamento dell'apparecchiatura per la deposizione di strati epitassiali di carburo di silicio (SiC). Verranno quindi brevemente descritte le parti che compongono l'apparecchiatura. Una sezione sarÓ dedicata al manuale di utilizzo del reattore e alle procedure riguardanti le operazioni necessarie al funzionamento dell'apparato di crescita. In appendice saranno invece allegate le schede di sicurezza dei reagenti utilizzati. Non si entrerÓ nel merito della tecnologia di preparazione del carburo di silicio, giÓ trattata nei precedenti rapporti interni. Questo Rapporto Interno documenta il completamento della macchina, inclusi i sistemi ausiliari per rendere funzionale il sistema. Descrive la gestione dell'apparecchiatura in condizioni di crescita e durante le fasi di manutenzione.
Subject Reattore epitassiale
SiC


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