PUMA
Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo     
Mosca R., Gombia E., Motta A. Realizzazione Mediante Tecniche Fotolitografiche di Strutture Mesa su InP per la Caratterizzazione Elettrica di Strati Semi-Isolanti Sepolti. Rapporto interno n. 98. Technical report, 2000.
 
 
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Abstract
(Italiano)
Dal 1990 Ŕ attivo presso l'Istituto MASPEC un laboratorio che, attraverso fotolitografia ottica, procedure di etching e deposizioni metalliche sotto vuoto, permette la realizzazione di semplici dispositivi (barriere Schottky, barre di Hall) per la caratterizzazione di materiali semiconduttori composti (arsenuiri, antimoniuri, fosfuri). Questa facility Ŕ stata finora utlizzata per la realizzazione di strutture di test nell'ambito di collaborazioni con il Dipartimento di Fisica dell'UniversitÓ di Parma, con il Dipartimento di Fisica dell'UniversitÓ di Firenze, con il CORECOM di Milano, con l'Istituto Elettrotecnico Nazionale "Galileo Ferraris" di Torino e con l'IEE-SAS di Bratislava (Rep. Ceca)....
Subject Tecniche fotolitografiche
Barriere Schottky
Barre di Hall


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Per ulteriori informazioni, contattare: Librarian http://puma.isti.cnr.it

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