PUMA
Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo     
Curti M., Fornari R., Kumar J., Mignoni G., Zuccalli G. Processatura di Monocristalli di Fosfuro di Indio. Rapporto interno n. 57. Technical report, 1989.
 
 
Abstract
(English)
Vedi sommario in italiano
Abstract
(Italiano)
Il Fosfuro di Indio (InP) un semiconduttore composto che trova vasta applicazione nel campo dell'optoelettronica e dei transistori ad effetto d campo. Questi dispositivi sono generalmente costituiti da uno strato attivo molto sottile depositato con tecniche epitassiali su un substrato monocristallino lucidato. La morfologia del film epitassiale, nonche le prestazioni finali dei dispositivi, dipendono dalla perfezione cristallografica della fetta monocristallina impiegata come substrato. Si cerca pertanto di crescere InP in forma di lingotti orientati con bassa concentrazione di difetti quali dislocazioni, precipitati, stacking faults e con proprieta' elettroniche ben definite. A questo proposito iniziata presso il nostro Istituto una attivita' di ricerca sulla crescita di InP dal fuso col metodo Czochralski ad incapsulante liquido (LEC).....
Subject Fosfuro di Indio (InP)


Icona documento 1) Download Document PDF


Icona documento Open access Icona documento Restricted Icona documento Private

 


Per ulteriori informazioni, contattare: Librarian http://puma.isti.cnr.it

Valid HTML 4.0 Transitional