PUMA
Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo     
Meletti G. Crescita di Monoscristalli di Semiconduttori A4B6 Mediante il Metodo "Bridgman". Rapporto interno n. 48. Technical report, 1988.
 
 
Abstract
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Abstract
(Italiano)
Una questione preliminare per una crescita soddisfacente di monocristalli di PbTe,Pb1-xSnxTe,PbSe ecc. è un sistema di crescita che garantisce velocità di crescita e gradienti di temperatura ottimali, tali che ove R è la velcoità di crescita, Hv è il calore latente per unità di volume cresciuto, Ks e Kl sono le conducibilità termiche del solido e del liquido aventi gradienti di temperatura dTs/dx e dTl/dx rispettivamente.......
Subject Bridgman' method


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